1：半导体硅片清洗工艺
我司开发的成熟工艺设备：半导体清洗机、硅片腐蚀清洗机、半导体硅（芯）片清洗机、全自动硅片清洗机、晶片清洗机、超声波清洗机、分立器件清洗机、硅片光刻清洗机、RCA腐蚀机、砷化镓清洗机等。设备均采用磁白PP板经雕刻后热弯/焊接而成。该设备适用于2—12英寸硅晶圆片的清洗腐蚀,工艺过程全自动，由机械臂负责工件在槽体间的转换。人机界面为触摸屏，方便直观。
湿化学法清洗的原理
湿化学法清洗主要是利用溶液、酸碱、表面活性剂、水及其混合物，通过腐蚀、溶解、化学反应等方法，实现某种功能要求或去除晶片表面的沾污物。
湿化学清洗工艺技术
RCA清洗
RCA清洗工艺称为工业标准湿法清洗工艺，由美国无线电（RCA）公司于20世纪60年代提出。主要有一系列有序侵入不同的化学液组成，即1号标准液（SC1）和2号标准液（SC2）。1号标准液化学配料为：NH4OH：H2O2：H2O(1:1:5)，2号标准液化学配料为：HCL：H2O2：H2O(1:1:6)，通常使用加热到75～85℃。
由于RCA清洗使用了大量的化学液，因此实际应用已经对RCA清洗做了改进，即稀释化学液，SC1化学液比例为1:4:50而代替传统的1:1:5。稀释化学液在使用中对人体健康及安全有很大的改良，而且因减少了化学液的使用，降低了工厂成本及对环境的污染，下表为典型湿法清洗工艺流程。
